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本论文采用脉冲激光沉积方法制备SrTiO_3 薄膜,通过优化薄膜的生长工艺参数,分析了微观结构对SrTiO+3薄膜介电性能的影响。运用AFM,XRD 等分析手段表征薄膜的微观结构性能,系统研究了基片温度,氧分压,激光能量和退火工艺对SrTiO_3薄膜生长工艺的影响。比较不同氧压下沉积的STO 薄膜的X 射线衍射图谱,发现STO 薄膜的C轴晶格常数随着沉积氧压的减小而增加,较低氧压下沉积SrTiO3薄膜C 轴晶格常数会被拉长。同时对2Pa 和10Pa 氧压下沉积的薄膜制备平板电容器