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信息时代的今天,磁记录是主要的存储手段。随着计算机及网络技术的发展,人们需要越来越高的数据存储密度,垂直磁记录介质是实现超高密度垂直磁存储的重要一环。本论文阐述了垂直磁记录的基本原理以及其对磁记录介质的要求,研究了磁性诱发两相分离型Co-V基薄膜的磁学性能,并对目前应用的垂直磁记录介质Co-Cr-Ta体系进行了相平衡的实验测定。本论文的主要研究内容如下:(1)利用射频磁控溅射方法制备了一系列Co-V二元合金薄膜,表征了薄膜的晶体结构、表面形貌、微区结构以及面内和垂直膜面方向的磁学性能,分