一维纤锌矿Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ_2半导体材料制备和光电性能研究

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由于对清洁和可长久使用能源需求的增加,三元和四元I-III-VI2半导体化合物,如CuInS_2和CuIn_xGa_(1-x)S_2,作为一系列太阳能电池中重要的吸收层材料,近年来受到越来越多的关注。在太阳能薄膜电池的制备过程中,化学计量比和物相可控的高质量纳米晶的合成是至关重要的。纳米晶的形状、结构和组成在决定吸收层材料光学性能和最终电池性能方面起着非常重要的作用。我们在溶液中用Cu1.75S作为催化剂合成出纤锌矿的三元和四元纳米带(CuInS_2,CuGaS_2和CuIn_xGa_(1-x)S_
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