【摘 要】
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ZnO半导体材料具有特殊的物理和化学特性，而受到广大从事纳米材料研究工作者的重视。同时，随着理论和仪器制造工艺的不断完善，基于激光技术的气相生长方法在制备半导体纳米材料领域得到了进一步发展。本文利用激光烧蚀化学气相沉积法和脉冲激光沉积法，探索了实验参数对不同ZnO纳米结构生长的影响，研究不同维度的ZnO纳米结构的生长机理和光致发光性质。具体研究内容和结果如下：1.研究了ZnO纳米棒的激光烧蚀化学气
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ZnO半导体材料具有特殊的物理和化学特性，而受到广大从事纳米材料研究工作者的重视。同时，随着理论和仪器制造工艺的不断完善，基于激光技术的气相生长方法在制备半导体纳米材料领域得到了进一步发展。本文利用激光烧蚀化学气相沉积法和脉冲激光沉积法，探索了实验参数对不同ZnO纳米结构生长的影响，研究不同维度的ZnO纳米结构的生长机理和光致发光性质。具体研究内容和结果如下：1.研究了ZnO纳米棒的激光烧蚀化学气相沉积生长过程，发现催化剂厚度和温度是影响ZnO纳米棒生长的重要因素。当催化剂厚度为2nm、温度
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