为了改善T-ZnOw的介电常数,提高其电损耗,对四针状氧化锌晶须（T-ZnOw）采用了Al元素掺杂法改性。该法利用硝酸铝分解得到的Al₂O₃在高温下与四针状氧化锌晶须发生固相反应,Al³⁺掺入T-ZnOw晶格,形成n型半导体。当反应气氛是H₂时,Al掺杂改性子-ZnOw的体积电阻率从原来的10⁹～10¹⁰Ω·cm降低到10³～10⁶Ω·cm连续可调。随着Al掺杂浓度的提高,改性:T-ZnOw的载流子密度先增加后下降;并在Al掺杂浓度为4.0 mol%达到最大值,此时Al掺杂改性T-ZnOw体积电阻率达到最低值10³Ω·cm。当Al掺杂浓度超过4.0 m01%时,Al与T-ZnOw反应生成第二相ZnAl₂O₄包覆T-ZnOw而使其体积电阻率升高。未改性T-ZnOw在2～18 GHz频率区间的电损耗正切在0.31～0.52之间,极大值产生于16.7 GHz点。掺杂4.0 m01%Al改性T-ZnOw的电损耗正切在0.44～1.14之间,并严格的随频率的升高而增大。利用自编的Matlab程序,通过输入矢量网络分析仪的测试数据进行模拟发现,经过4.0 mol%和8.0 mol%Al掺杂改性的T-ZnOw则在厚度为1mm时在高频（15～18 GHz）区域具有较宽吸收频带;在厚度达到2mm,3 mm时,吸收峰前移到5 GHz点左右。为了增强T-ZnOw的在低频段（2～8 GHz）的吸波效果,以硝酸铁为原料,采用和掺Al类似的方法,对T-ZnOw掺杂Fe,期望在改善T-ZnOw电损耗的同时,也改善其磁损耗。Fe元素的饱和掺杂浓度为2.0 mol%左右,当Fe元素掺杂浓度高于2.0 mol%时,富余的Fe与ZnO发生反应并生成第二相ZnFe₂O₄;反应会消耗部分TC-ZnOw针尖或棱角活性较大的分子破坏T-ZnOw微观形貌。当反应气氛为H₂且Fe富余时,富余Fe中的一部分会被还原成单质。Fe掺杂改性对T-ZnOw的复磁导率实部改变并不明显,都保持在1.0左右,而虚部则明显改善。从改性T-ZnOw的复磁导率虚部来说,Fe的最佳掺杂浓度为2.0 mol%,此时在8 GHz点的最优值为0.33,其磁损耗正切为0.32。利用Matlab程序模拟Fe掺杂改性T-ZnOw样品的发射率发现,对于同一Fe掺杂浓度,随着厚度的增加,反射率模拟曲线峰值向低频方向移动;对于同一厚度,随着Fe掺杂浓度的提高,反射率模拟曲线峰值也向着低频方向移动。设定样品厚度为2 mm时,Fe掺杂浓度从0.5 mol%增加到4.0 mol%,其反射率模拟曲线峰值也从10.5 GHz减小到8.0 GHz。