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有机半导体材料与器件的应用研究是有机电子学领域的研究热点,目前已取得了可喜的研究成果。其中,有机场效应晶体管(OFET)由于其功耗低、重量轻以及可大面积生产而具有更广泛的应用前景。新兴的光敏有机场效应晶体管(PhotOFET)作为OFET的重要分支之一,由于具有高灵敏度和低噪声系数,成为一种新型的光探测器,从而受到广泛的关注和研究。本论文围绕稀土酞菁光敏材料的制备及其在PhotOFET器件中的应用两个方面开展了以下的工作：(1).合成了稀土酞菁光敏有机半导体材料酞菁钕(NdPc2)和酞菁铒(ErPc2)。对薄膜的紫外-可见光吸收测试表明,NdPc2和ErPc2对红光都有较强的吸收,它们的薄膜最大光吸收系数分别可达1.4×105cm-1和1.1×105cm-1。因此,NdPc2和ErPc2可作为良好的红光光敏材料应用于有机红光探测器中。(2).采用上述合成的两种有机半导体材料在Si/SiO2衬底上分别成功制备了NdPc2和ErPc2单层的PhotOFET。其中,NdPc2单层PhotOFET获得的最大光/暗电流比为104；在入射光强为0.004mW/cm2,栅压-100V、漏压-50V条件下,光响应度达到7.04A/W。(3).为了提升基于酞菁钕的PhotOFET的光敏性能,进一步引入高迁移率的n型有机半导体材料C60作为沟道传输层,制备了C60/NdPc2平面异质结结构的PhotOFET,器件最大光/暗电流比可达到105；在入射光强为0.004mW/cm2,栅压为100V、漏压为50V条件下,光响应度可达214.8A/W。由此可见,搭配高迁移沟道材料的C60/NdPc2异质结PhotOFET具有更好的光敏特性。(4).制备了基于ErPc2为光敏层的CuPc/ErPc2平面异质结器件。在入射光照强度为5nW/cm2,器件达到的最大光灵敏度约为102；当栅压为-100V、漏压为-50V时,器件的光响应度为0.16A/W。