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合金纳米材料有许多单质金属纳米材料无法比拟的优异性能,目前受到了研究人员的高度重视。本篇文章使用VERSASTAT3电化学工作站在氧化铝模板中制备Ni-Cu合金纳米线,用X-射线衍射仪(XRD)测量其晶体结构,用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观测其形貌,用电子能谱仪(EDS)测量纳米线的成分,用振动样品磁强计(VSM)测量其磁化行为。通过分析沉积过程中得到的电化学沉积C-T曲线,发现其具有明显的随时间不变性,说明在沉积Ni-Cu合金纳米线的电极过程控制步骤不是由液相传质过程控制,而是由电化学氧化还原过程控制。我们采用控制电位的方法,成功制备出Ni3Cu20、Ni4Cu3、NiCu、Ni33Cu20、Ni13Cu2纳米线,且发现沉积电压在-0.86V时纳米线的成分受电压影响非常明显。研究发现,当NiSO4：6H2O:CuSO4·5H2O的质量比大于8：1时,生长形成的是纳米管,小于等于这一值时生长形成的是纳米线。测量了Ni4Cu3纳米线沿纳米线和垂直纳米线两个方向的磁滞回线,结果表明：该纳米线有明显的磁各向异性,其易磁化方向为平行于纳米线的方向。采用自氧化的方法,用草酸两次氧化,成功制备出高度有序的氧化铝模板,在开孔时间为150分钟时孔洞的大小为50nm左右；在开孔时间为240分钟时孔洞大小为80nm。并且使用自氧化的模板制备出NiCu6纳米线阵列,纳米线直径约为50nm,与自制模板的孔洞相互吻合。