【摘 要】
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该文使用Tight-binding分子动力学模拟方法对三类O/Cu进行了深入的研究.第一类是室温O/Cu表面重构,该文对迄今仍存在争论的有关重构的形成机理、不同类型重构的形成条件以及
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该文使用Tight-binding分子动力学模拟方法对三类O/Cu进行了深入的研究.第一类是室温O/Cu表面重构,该文对迄今仍存在争论的有关重构的形成机理、不同类型重构的形成条件以及对应的结构参数的问题作了进一步的计算和分析.第二类是实验上观测到的铜的两种低价氧化物,即Cu<,4>O和Cu<,8>O.该文利用模拟方法讨论这类结构的室温和高温的结构稳定性,并对Cu<,2>O、Cu<,4>O和Cu<,8>O的原子和电子结构特征进行比较.第三类是在实验测定的两类铜低价氧化物的派生产物的基础上人为建立起来的一系铜的初期低价氧化物派生结构.在该文中就其氧原子在铜晶格中的占据位置和含量对整个体系的影响作了深入的研究.最后,该文还利用TBMD方法对高温铜的表面氧化过程进行了初步的理论研究.
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