【摘 要】
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本文在介绍工业化生产多晶硅太阳电池工艺流程的基础上,着重介绍多晶硅在进行湿法刻蚀周边过程中可能出现的问题.刻蚀工艺是制造晶体硅太阳电池片整个流程中的一个非常重要的工序,湿法刻蚀周边主要影响的是太阳电池性能参数中的并联电阻Rsh和反向漏电流Irev2,刻蚀过程中出现刻不净或过刻会导致并联电阻Rsh过小,反向漏电流Irev2非常大,进而影响整个电池的光电转换效率η。多晶硅湿法刻蚀周边主要有方阻上升过大
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本文在介绍工业化生产多晶硅太阳电池工艺流程的基础上,着重介绍多晶硅在进行湿法刻蚀周边过程中可能出现的问题.刻蚀工艺是制造晶体硅太阳电池片整个流程中的一个非常重要的工序,湿法刻蚀周边主要影响的是太阳电池性能参数中的并联电阻Rsh和反向漏电流Irev2,刻蚀过程中出现刻不净或过刻会导致并联电阻Rsh过小,反向漏电流Irev2非常大,进而影响整个电池的光电转换效率η。多晶硅湿法刻蚀周边主要有方阻上升过大、过刻和刻不净等问题。刻蚀槽酸性气体浓度过高和刻蚀段抽风不均匀会导致方阻上升过大;保护水不足或过多、排风
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