近年来,有机电致发光器件的研究已经成为一个热点,并取得长足的进展,逐渐应用在现实生活中,但进一步开发稳定性好、寿命长、功耗低的电子器件是现阶段以及今后研究工作的主要目标。为了提高有机电致发光器件的性能,人们对电致发光过程的机理进行了广泛的研究。但由于问题的复杂性,导致了数学处理和实验结果分析上的困难,大部分问题都悬而未决,又由于有机器件载流子的输运机理不同于无机发光器件,所以建立一套适用于有机电致发光器件的理论模型非常的重要。基于此,本论文作了如下工作:1.在欧姆注入条件下,推导了以无陷阱有机薄膜为功能层的单层单载流子器件的电流—电压的关系,对存在陷阱的情况,数值研究了器件电流随薄膜厚度和相对陷阱深度的变化关系,模拟了器件中电势、电场以及载流子浓度的空间分布。2.对金属电极和有机层界面处的载流子注入模型作了论述,建立了一种新的热电子注入模型,解释了空穴从ITO阳极注入到有机半导体G1-para-Ir（ppy）₃的注入机制。3.以载流子运动的扩散—漂移理论为基础,建立了单层双载流子电致发光器件模型,并依据此模型数值研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合密度分布。4.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,建立了描述双层单载流子有机薄膜器件的有机-有机异质界面电荷传输的解析模型,并分析了有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的。进而分析了有机-有机界面限制（organic-organic interface limited,OOIL）电流传导状态下器件电流、电场和电子浓度分布随温度的变化关系。描述了一双层双载流子有机电致发光器件模型,并分析了两种不同空穴阻挡层器件的J-V关系,以及它们的电子、空穴、电场和复合率在器件中的分布。