【摘 要】
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该文首先对高能正电子(~GeV)的面沟道辐射进行了理论研究和分析,然后设计了具有较高探测效率的高能γ光子谱仪,最后建立一套沟道辐射实验装置,同时也对实验大厅的本底进行了
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该文首先对高能正电子(~GeV)的面沟道辐射进行了理论研究和分析,然后设计了具有较高探测效率的高能γ光子谱仪,最后建立一套沟道辐射实验装置,同时也对实验大厅的本底进行了蒙特卡洛模拟计算.该文内容主要分为三章:第一章主要对沟道效应的Lindhard理论进行了回顾,用经典力学阐述了相对论正电子的平面沟道辐射,计算了沟道辐射谱,同时与其它类型的辐射,如韧致辐射、跃迁辐射、同步辐射进行了比较;第二章首先利用EGS4(蒙特卡洛技术)程序包模拟研究了高能γ射线在CsI闪烁晶体中的簇射行为.根据模拟计算,我们决定了满足实验要求的并且具有较高探测效率的CsI探测晶体的大小,最后设计了反符合的高能γ光子谱仪,并对谱仪进行了刻度和性能的测试.第三章对该次实验所需的正电子的输运和实验大厅的屏蔽结构进行了阐述,介绍了所采用的仪器装置、实验方法,分析了实验中可能出现的问题,同时也对实验大厅辐射本底进行了蒙卡计算,为实验提供了改进的设想.鉴于蒙特卡洛程序包EGS4(Electron-Gamma Shower,Version4.0)在国内介绍寥寥无几,同时也为该文的模拟计算提供基础,在附录中简单介绍了由美国SLAC开发的EGS4程序包.
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