白光LED具有节能、环保、高效等优点,被誉为第四代照明光源。现阶段商用的白光LED是由蓝光LED芯片与黄光荧光粉组合而成的,这种缺失红光成分的白光,相对来说显色指数并不理想。故本文主要探究的方向在于:（1）研究发光性能良好的红光荧光粉;（2）研究能被近紫外激发的单一相白光荧光粉。本文采用的制备荧光粉的方法主要是高温固相法,通过高温固相法制备了一系列不同掺杂浓度的红光荧光粉Ba₃Gd（PO₄）₃:Eu³⁺和GdNbO₄:Sm³⁺,以及白光荧光粉GdNbO₄:Dy³⁺样品。并探究了各样品的光学性质和色度学性质,主要内容包括:（1）通过XRD衍射图谱分析了Ba₃Gd（PO₄）₃:Eu³⁺样品的晶体结构。利用Van Uitert模型对⁵D₀能级荧光的浓度猝灭行为进行了研究,发现浓度猝灭是由于Eu³⁺与Eu³⁺间交换相互作用所导致。分析了⁵D₀能级荧光发射对温度的依赖关系,给出了温度猝灭行为符合crossover模型的结论。利用Eu³⁺的发射光谱和荧光衰减数据,计算了⁵D₀→⁷F_J辐射跃迁速率及荧光分支比,同时得到了光学跃迁强度参数。（2）GdNbO₄:Sm³⁺样品的XRD测试结果表明该样品为纯相,Sm³⁺的掺杂并没有改变样品的晶体结构。随着Sm³⁺掺杂浓度的增加,样品发生了浓度猝灭。用Van Uitert模型对样品进行拟合,推断引起样品浓度猝灭的机制是电偶极-电偶极相互作用,最后对不同掺杂浓度的样品进行了色坐标计算。（3）测试了GdNbO₄:Dy³⁺样品的XRD衍射图谱,结果表明该样品为纯相,Dy³⁺发光中心的掺杂并没有对GdNbO₄的晶体结构造成影响。用Van Uitert模型对样品在不同掺杂浓度条件下的发射强度进行积分拟合计算,了解到引起样品浓度猝灭的机制是电偶极-电偶极相互作用。对掺杂不同浓度的样品计算了黄蓝比以及色坐标,并且计算了样品色坐标随着温度提高的变化规律,发现样品在不同温度下仍然有着良好的发光性能。