光伏型红外TDI阵列碲镉汞探测器的串扰机制研究

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在红外成像系统中,串扰会降低图像质量,因此对串扰的测试及产生机理等研究至关重要。论文以新一代红外TDI阵列碲镉汞探测器作为研究对象,从实验和理论两个方面,系统研究了光致串扰的产生机制,研究结果具有前沿性和重要的学术价值。论文首先从理论上对比研究了阵列型探测器件串扰效应的两种产生机理、三种测试原理和测试方法,分别从光的反射、折射、散射、目标光点的衍射和光学系统的像差五个方面系统揭示了光学串扰的产生机理;从载流子特征参数、载流子的辐射复合、表面沟道、光敏元和处理电路设计五个方面系统揭示了电学串扰的产生机理;从器件的结构设计、工艺提升、算法优化三个方面详细地阐明了光学串扰的解决方案;从结构设计、工艺提升和电路技术三个方面详细地阐明了电学串扰的解决方案。在上述研究的基础上,针对红外TDI阵列碲镉汞探测器,分别研究了波段内和峰值响应波段外光致串扰的产生机制,揭示了该类器件光致串扰大小与入射光波长、入射光功率密度、入射光体制(连续和脉冲)的关系以及同一辐照通道各个探测单元间与不同通道各个探测单元间的串扰特性。主要研究结论如下:1.实验发现,当入射光功率密度达到一定程度时,无论是3800 nm波段内的连续光还是1064 nm峰值响应波段外的连续光,TDI探测器同一辐照通道各个探测单元间、不同通道各个探测单元间均会出现串扰,串扰程度均随入射光功率密度的增加而增大,最终探测单元可全部达到饱和;但当入射光功率密度相同时,波段内探测器的串扰程度大于峰值响应波段外的。2.当波段内连续入射光功率密度在3.0 W/cm~2~9.8×10~2 W/cm~2范围时,辐照通道串扰单元数N与入射激光功率密度P的双对数坐标曲线存在近似线性关系,且该曲线的斜率为0.36;未被辐照通道串扰单元数N与入射激光功率密度P的双对数坐标也存在近似线性关系,且该曲线的斜率为0.46。研究表明,由高阶衍射效应引起的光学串扰是同一辐照通道各个探测单元间串扰的主要来源,而不同通道各个探测单元间串扰的主要来源则是由于载流子的运动所引发的电学串扰。3.与波段内电压响应输出结果类似,当峰值响应波段外连续入射光功率密度在0.8 W/cm~2~1.9×10~2 W/cm~2范围时,辐照通道串扰单元数N与入射激光功率密度P的双对数坐标曲线存在近似线性关系,且该曲线的斜率为0.39;未辐照通道串扰单元数N与入射激光功率密度P的双对数坐标也存在近似线性关系,且该曲线的斜率为0.51。研究表明,由高阶衍射效应引起的光学串扰是同一辐照通道各个探测单元间串扰的主要来源;不同通道各个探测单元间串扰的主要来源则是由于载流子的运动所引发的电学串扰。4.实验发现,当低重频脉冲光辐照TDI阵列碲镉汞探测器时,探测器出现了不同于连续光的对称分布响应新现象,即电压响应输出曲线存在一个对称中心,以该中心为轴,响应曲线左右两边的输出电压呈180度镜像的对称分布。研究表明低重频脉冲激光导致入射光时刻与探测器积分周期失配产生对称响应分布。
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