本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基LED发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用MOCVD材料生长设备侧向外延生长了GaN基LED外延片(其主要结构包括：n-GaN、量子阱和p-GaN)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱层。之后对外延片进行了LED工艺加工的后续工艺。对不同结构的图形化衬底外延片进行了光致发光的光谱测试。研究不同尺寸和结构的图形衬底引起的量子阱结构不同所致的对LED发光特性的影,同一层上不同结构的量子阱会产生两种波长的光。另外,对不同结构的图形化衬底的LED芯片也进行了电致发光的光谱测试。文中对不同的图形衬底对发光波长的影响也进行了讨论。此外本论文在大量的LED工艺试验的基础上还着重研究了LED芯片的制作工艺流程,解决了工艺过程中的一些关键问题,制作出性能良好的LED芯片。