随着社会需求的增加、科技技术的进步,半导体集成电路应用于生活的方方面面,成为社会生活不可或缺的一部分。然而传统场效应晶体管受亚阈值摆幅、短沟道效应等因素的限制不再满足人们的需求。本文提出了一种基于双侧栅和辅助栅控制的新型深肖特基势垒源漏接触的双向隧穿场效应晶体管。传统的肖特基势垒金属氧化物场效应晶体管通过尽可能地降低势垒高度的方式来产生大电流,区别于传统晶体管,新型晶体管而是降低由肖特基势垒隧穿产生的电流。相反,增大体硅与源漏接触界面作为正向导通的主要传导机制的带带隧穿电流。在结构上利用辅助栅极来阻挡反向漏电流。与传统肖特基势垒金属氧化物场效应晶体管或无结场效应晶体管相比,新型器件可以实现更低的亚阈值摆幅,更小的反偏栅致漏电流,更大的开关电流比。能够实现大于传统隧穿场效应晶体管的开启电流,以及由于结构对称而能够更好的集成。本课题通过Silvaco TCAD实现对器件的模拟仿真与分析研究。通过DevEdit3D实现三维器件结构的编辑,在DeckBuild中调用器件结构利用Atlas仿真语句模拟仿真电学特性,最后经视图工具Tonyplot2D显示。在Tonyplot2D中对图像进行测量、截线以及叠加分析仿真结果。改变有影响的器件结构参数,通过分析比较实现参数的最终优化,使器件性能达到最优值。本课题所有仿真均采用量子模型进行,结果更加精准。