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硒化镉半导体材料是中高温热电材料的一种，可以用其来制造核辐射检测器，本论文利用国产六面顶压机在高温高压下合成了硒化镉半导体材料，并对合成的硒化镉样品部分进行了表征研究。 本实验采用硒粉和镉粉作为原料，在压力3.0Gpa、温度1300℃的条件下，成功制备了硒化镉半导体材料，并对样品进行了 XRD、扫描电镜检测，对样品进行了结构及形貌剖析，测试了样品的密度、硬度、阻抗等。 实验结果表明：高温高压方法能够合成硒化镉半导体材料，样品致密性好，晶界清晰，硬度大且机械特性能比较好。与其他合成方法相比较，高温高压合成方法减少了合成过程的繁杂步骤，用时较短，纯度较高，不产生有害气体等，可能会成为硒化镉合成的一种新的途径。