固态光源的发展方向越发地趋向于节能高效,传统的功率小、光效低、体积大、热阻高的普通封装LED已经越来越难以满足需求,这就要求我们寻求新的方式来实现性能的突破。芯片级封装能够显著的提升性能。从结构特点上来看,芯片级封装LED与传统封装LED相比在体积显著缩小的同时兼备了更低的热阻,同时可以实现180度的宽出光角度等特性也决定了其更为广泛的应用范围。本文基于大功率LED的实际需求,探索设计研发一款具有大功率、高光效,同时兼备较高的机械强度和较低的热阻等特点的芯片级封装LED,并且对其在器件制备、热学性能和光电性能等相关方面与传统封装LED进行了横向的对比与分析。本文首先介绍了LED的封装原理及发展情况,并对几种主流的封装形式的结构及制备的工艺流程等进行了相关的介绍。可以看出芯片级封装LED相较于传统封装LED具有较明显的优势,芯片级封装LED具有较好的应用前景。之后本文设计并制备了一款芯片级封装形式的LED。首先是器件制作,包括制片工艺上的贴片、反射层模压、喷粉、划切等工艺流程。然后进行封装完毕后的测试、分选。对在工艺流程中遇到的相关问题及现象进行相应的分析和总结,并从制备工艺上对芯片级封装器件进行了详细的分析。最后对比分析了几种封装形式的相关参数。结合现今比较流行的封装形式,分别从器件的热学性能和光学性能上对二者的各项表现进行了定量分析,证明了芯片级封装结构的发光效率和散热能力在现今流行工艺之中的优越性。