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随着“摩尔定律”的提出,硅基微电子器件的特征尺寸已经达到了物理极限,人们开始为扩大硅基微电子技术而努力。实际上,硅作为光学器件集成的平台已经被广泛的研究了。然而硅是间接带隙材料不能作为高效率光源的这一事实,已经阻碍了它的发展。人们开始关注其他的IV族半导体材料。作为候选材料的锗虽然也是间接带隙,但是其直接带与间接带之差仅为0.136eV,并且引入张应变可以使这一差值进一步减小。本文采用等离子体增强化学气相沉积法制备出具有高应力的氮化硅薄膜。通过氮化硅致应变技术将应变引入到锗薄膜材料中,并将锗薄膜材料制作成发光二极管,探究二极管的制作工艺流程,成功地验证了锗的电致发光性能,本文为锗发光的研究提供了基础。