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对于自旋阀的研究主要采用CPP(电流垂直于膜面)和CIP(电流平行于膜面)这两种方式。目前自旋阀CIP-GMR的实际值已经接近理论极限,因而对于自旋阀CPP-GMR理论研究和优化更具现实意义。论文以阳极氧化铝(AAO)为模板,采用控电位电沉积法制备了Co、NiFe磁性纳米线阵列。在此基础上,采用双槽控电位电沉积法制备了[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线。利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和XRD对纳米线进行表征。通过振动样品磁强计(VSM)测试样品的磁性能。研究表明,沉积电位为-0.95V时,所得Co磁性纳米线阵列具有良好的硬磁性。Co纳米线为六方密排(hcp)结构,且单晶六方密排(hcp)钴纳米线的c轴在垂直于线轴的方向有择优取向。低温(300°C)退火处理有利于改善Co的磁性能,高温(400°C、500°C)退火处理不利于改善Co的磁性能。沉积电位为-1.0V时,所得NiFe磁性纳米线阵列具有良好的软磁性。NiFe纳米线为面心立方(fcc)Ni固溶体。退火处理对于改善NiFe的磁性不利。500°C下退火处理后的NiFe纳米线为面心立方(fcc)Ni固溶体和六方密排(hcp)Fe析出相的共存体。多层纳米线阵列粗细均匀,长径均一。多层纳米线的长度可以达～20μm。测得了[NiFe(5nm)/Cu(tCunm)/Co(5nm)/Cu(tCunm)]_n的磁滞回线,与模拟曲线对比知,多层纳米线中,Co层的难磁化轴平行于模板平面,致使多层纳米线的剩磁比偏低。此外,本论文对CPP-GMR的理论模型进行了综述,介绍了计算自旋阀CPP-GMR的方法。