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氧化锌是一种具有立方晶体结构的直接带隙半导体材料。在室温下,通过镁元素的掺杂可制得氧锌镁合金薄膜,使得这种薄膜材料的禁带宽度在3.3 eV~7.8 eV范围内调节。由于这种半导体材料分布广泛、制备方法多以及环境友好,人们越来越关注这种材料的研究。本论文主要采用射频磁控溅射的方法来生长氧化锌薄膜和氧锌镁合金薄膜。生长后的薄膜通过光刻工艺制备出具有金属-半导体-金属结构的紫外光电探测器。主要研究了射频磁控溅射的方法生长的氧锌镁基薄膜的表面形貌和光电性能;通过表面等离子基元的修饰提升薄膜的吸收系数和探测器的响应度,并通过研讨金属纳米颗粒对双层膜结构探测器的修饰作用对局域表面等离子基元理论做进一步了解。