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利用半导体光催化技术制备清洁能源是当前的研究热点,半导体光催化技术的不断成熟有助于缓解人类社会发展所面临的能源压力和环境污染引发的生态安全问题。本论文采用第一性原理计算深入地研究了 g-SiC/MoSSe和g-SiC/WSSe这两种异质结的电子结构和光催化性能。从不同方而分析了这两种异质结的结构稳定性,并且采用HSE06杂化泛函对其电子结构、光吸收系数和光催化机理进行了理论分析。首先,研究了 g-SiC/MoSSe异质结。对其形成能、声子色散谱和热稳定性进行了分析,确保了计算所选取的异质结构是稳定的