表面活性剂LAS与重金属Cd复合污染对黄豆生长的影响

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通过盆栽试验,研究了表面活性剂LAS(十二烷基苯磺酸钠)与重金属Cd单一及复合污染对黄豆生长的影响,探讨了单一及复合污染条件下LAS与Cd的生物效应和复合污染的毒害机理。主要研究结果如下: 单一Cd污染条件下Cd浓度为5 mg/kg和10 mg/kg时,黄豆的生长受到严重的抑制,表现为植株矮小,叶绿素含量降低,SOD活性下降,MDA含量升高。单一LAS污染条件下,较低浓度的LAS(≤15 mg/L)能促进黄豆的生长,较高浓度的LAS(≥50 mg/L)对黄豆有毒害作用。 添加LAS虽然未能完全消除高浓度Cd污染对黄豆植株毒害,但致害程度有所减轻。当LAS浓度为50 mg/L时,这种缓解毒害的作用最为明显。说明LAS和Cd共存时,有拮抗作用。 Cd在黄豆植株体内的分布规律为根>茎>叶。添加LAS后,Cd的迁移能力发生变化,在同一Cd污染土壤中,添加LAS后,黄豆植株体内Cd的含量下降,而且随着LAS浓度的增加,下降得越多。 在单一镉污染土壤中,土壤中各形态镉含量均随着外源镉浓度的增加而增加。在相同外源镉水平条件下,黄豆植株中的镉含量与土壤中的交换态镉和碳酸盐结合态镉呈正相关,与铁锰氧化物结合态和有机结合态镉呈负相关。 较低浓度的LAS(≤15 mg/L)没有显著影响土壤中各形态镉含量的变化。但是,当LAS浓度较高时(≥50 mg/L),LAS显著降低了土壤中交换态和碳酸盐结合态镉的含量,同时增加了土壤中铁锰氧化物结合态和有机结合态镉的含量,从而降低了土壤中镉的可移动性和生物有效性。
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