【摘 要】
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本论文主要通过对多层薄膜结构的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLEDs)器件中的薄膜形貌进行调控来提高其性能。QLEDs器件中的薄膜形貌对载流子的注入、传输、复合有着至关重要的影响。我们通过对器件中的空穴传输层(Hole Transport Layers,HTLs)以及量子点层的薄膜形貌进行调控,制备了高效率的QLEDs器件。本论文通过电流密
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本论文主要通过对多层薄膜结构的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLEDs)器件中的薄膜形貌进行调控来提高其性能。QLEDs器件中的薄膜形貌对载流子的注入、传输、复合有着至关重要的影响。我们通过对器件中的空穴传输层(Hole Transport Layers,HTLs)以及量子点层的薄膜形貌进行调控,制备了高效率的QLEDs器件。本论文通过电流密度-电压-亮度、原子力显微镜、扫描电镜、透射电镜、荧光显微镜、固定角光谱椭偏仪、傅里叶变换红外光谱仪、接
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