氧化物透明导电薄膜被广泛应用于太阳能电池、液晶显示屏、等离子显示屏、抗静电涂层以及半导体/绝缘体/半导体(SIS)异质结、现代战机和巡航导弹的窗口等领域。研究表明，ZnO透明导电薄膜存在表面和晶粒间界氧吸附导致电学性能下降，SnO2透明导电薄膜存在难以刻蚀等问题，这极大的限制了ZnO、SnO2透明导电薄膜的应用范围。ZnO@SnO2薄膜兼备ZnO和SnO2的优点，这将有利于ZnO、SnO2透明导电薄膜的应用领域。
　　 本论文采用以溶胶-凝胶法为基础的二步成胶工艺制备ZnO@SnO2包覆结构的粉体和透明导电薄膜。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微分析(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)对粉体样品进行了结构分析和包覆性能表征，结果表明，ZnO@SnO2是以ZnO为核、SnO2为壳的核壳式包覆结构，是一种化学包覆结构，ZnO和SnO2之间以化学键Zn-O-Sn结合；并且当Zn/Sn摩尔比为8/12包覆效果较好。
　　 利用NKD-8000e和四探针测试仪对ZnO@SnO2包覆结构的光学和电学性能进行表征，结果表明，可见光透过率均超过80％，当Sb掺杂浓度4at％，退火温度为600℃，Zn/Sn摩尔比为9/12时，电阻率最低可达1.1×10-3Ω.cm；讨论了Zn/Sn摩尔比、退火温度、掺杂浓度、薄膜厚度等对可见光透过率和电阻率的影响。
　　 研究了ZnO@SnO2包覆结构的光致发光特性，发现SnO2的包覆会使ZnO中的蓝光发射得到增强，原因是SnO2包覆结构增加了Zn空位缺陷密度，使Zn到Zn空位之间跃迁增强。