甚高频(40.68MHz)激发的容性耦合等离子体特性研究

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容性耦合等离子体在微电子、尖端电子器件制造、材料处理等领域的应用正引起人们的广泛关注,容性等离子体的电特性、模拟方法及等离子体的诊断技术也日益成为研究焦点。本文着重研究了40.68MHz激发的容性耦合Ar等离子体及掺入5%O2和10%O2形成的电负性等离子体特性,利用改进的朗缪尔探针对电正性和电负性等离子体参量进行了诊断分析。我们首先利用改进的朗缪尔探针技术,通过改变宏观参数例如,放电气压、射频输入功率、径向距离、轴向距离和极板间距等对Ar等离子体特性进行研究。研究表明,等离子体放电气压和射频输入功率对电子的加热行为具有明显的影响,随着气压的增加,电子能量几率分布函数从低气压下的双麦克斯韦分布逐步转变为中等气压下的单麦克斯韦分布并最终演变成高气压下的Druyvesteyn分布,而射频输入功率的增加促进了低能电子布居数的增加。实验诊断进一步表明,放电极板间距的变化直接影响了高低能电子密度和温度的比例分配,进而导致了等离子体中电子加热模式的转变。低气压等离子体由于高度的化学活性、可调的离子通量和能量在微纳电子工业的材料表面生长、表面刻蚀与改性等领域有着广泛的应用前景,但衬底材料的物化差异性以及加工图形的控制精度等需要将等离子体参数裁剪到合适的工艺窗口。为此人们通常在等离子体中掺入特定的电负性气体来改变等离子体化学特性。因而,我们利用改进的朗缪尔探针技术对掺入5%O2和10%O2电负性Ar等离子体参数特性进行了研究。通过改变放电气压、射频输入功率、径向位置和极板间距等参数对等离子体中的电子能量几率分布函数,电子温度和电子密度进行了研究分析。在Ar等离子体中加入少量氧气,可以观察到电子能量几率分布函数已经偏离了麦克斯韦分布。实验表明,加入少量氧气可以使等离子体内部的径向分布更加均匀,并且在低气压条件下,等离子体内部的径向分布均匀性比高气压条件下的均匀性要好。容性耦合Ar等离子体中电子温度和电子密度随放电气压、射频输入功率、径向位置以及极板间距的变化趋势并不会因为掺入少量氧气而有明显的变化,电负性等离子体中由于负离子的加入,等离子体的加热机制,粒子之间的反应过程会变得更加复杂,等离子体中的电子密度和电子温度值会改变,但大致变化趋势却并没有被负离子的加入而影响。
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