PbTiO3基铁电薄膜在热释电探测器，动态随机存储器，非挥发性铁电存储器及微电机械系统中具有广泛的应用前景。但是，将PT基铁电薄膜应用于实际器件时还存在一些障碍，总的来说主要有体材料优良电学性能的保持，降低处理温度，提高抗极化疲劳和降低漏电流四方面。本文以Pb1-x-yLaxCayTi1-x/4O3薄膜为研究对象，主要研究了掺杂对薄膜的微观结构表征及电学性能的研究。　　 首先，运用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备Pb1-x-yLaxCayTi1-x/4O3(x=0.2，y=0）;(x=0.15，y=0.05);(x=0.1，y=0.1);(x=0.05，y=0.15）;(x=0，y=0.2）五种铁电薄膜，研究掺杂工艺对薄膜织构控制的影响。采用XRD手段对薄膜的物相和织构取向进行分析，然后对五种薄膜进行剩余极化强度和抗极化疲劳性能测试。其次，在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上先涂覆一层Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3薄膜后运用磁控溅射法溅射一层Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜，运用小角X射线衍射分析测量种子层Pb0.8La0.1Ca0.1Ti0.975O3薄膜的厚度，研究种子层对Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜的织构性能优化，采用AFM（原子力扫描显微镜）对优化后的Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜进行表面形貌分析，并运用铁电测试仪测试了漏电特性。　　 实验结果表明，改变掺杂pb3+，Ca2+离子含量的PbTiO3基铁电薄膜的衍射峰强度存在着明显的差别，薄膜织构得到有效的控制，La3+离子和Ca2+离子的掺入增加了晶格畸变和不对称取代，出现了(200)衍射峰向着高角位方向偏移。高低价金属离子混合掺杂至(x=0.1，y=0.1)时剩余极化强度得到了增加，随后随着Ca2+离子的继续增加，剩余极化强度却降低。通过小角XRD测得薄膜厚度为14nm，而且通过种子层的XRD谱可知450℃退火时，薄膜具有强烈的(100)衍射峰，展现完整的钙钛矿结构。通过种子层成功的实现了控制Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜的(100)织构得到增强，同时种子层不但改善了Pb0.8Ca0.2TiO3薄膜表面形貌，而且降低了薄膜的漏电流密度。