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传统的第一代(Si、Ge)和第二代(GaAs)半导体探测器具有能量分辨高、电荷收集时间快、探测效率高等优良特性,在诸多核探测领域有着广泛的应用,但由于其禁带宽度较低,极端环境下耐高温和抗辐照能力较弱,不能应用于高温度、强辐照等恶劣环境下,所以新型的半导体材料成为了必要且迫切的选择,而SiC材料因其宽禁带受到了广泛的关注。本文根据空间天文观测的需求,对肖特基型SiC探测器的电学特性偏压特性进行测试分析,设计制作测试了SiC探测器的读出电子学,并测试分析了强辐射环境对SiC探测器性能的影响。首先,对肖特基型SiC探测器电学特性进行测试分析。常温下,通过正向I-V和C-V特性得到了肖特基型SiC探测器的理想因子和势垒高度,通过反向I-V特性测试结果表明肖特基型SiC探测器漏电流小,为pA量级,而Si探测器的漏电流为nA量级。然后,测试了探测器的偏压特性,逐渐改变探测器偏置高压(0V-100V),步长10V,得到不同偏压下探测器能量分辨率,研究了偏置电压与探测器能量分辨率之间的关系,并发现探测器在30-40V左右时能量分辨率最好,工作在全耗尽状态。接着设计了基于AMPTEK公司的电荷灵敏前置放大器A225F和A250的读出电子学电路,并且测试了SiC探测器的α粒子能谱响应;基于A225F的电路测得的α粒子(5.15M)能谱分辨率为4.8%,基于A250的电路测得的α粒子(5.15M)能谱分辨率为4.6%,分辨率差别不大,但对于电路设计的灵活性上A250比较好。最后,对SiC探测器和Si探测器连续辐照1000KGyγ射线,测试分析了辐照前后SiC探测器和Si探测器的反向I-V特性和α粒子能谱响应,结果表明SiC探测器耐辐照性能优于Si探测器。未来,SiC探测器可替代Si探测器用于空间探测。