DKDP 晶体具有优良的电光与非线性光学性能，是高功率固体激光系统中重要的光学器件材料。晶体的生长速度和晶体的质量是目前研究的热点。 本文从晶体的生长动力学和生长速度的影响因素的实验分析出发，采用常温溶液降温法生长晶体，经过多次实验，得到如下晶体生长工艺：点状籽晶（4×4×1mm3）全方位生长晶体，降温最高起始温度 45.3℃，溶液 pD=3.8-4.3，降温速度为 0.2-1.5℃/day，平均生长速度最大为 3.1mm/day。由此得到的晶体动态消光比为 4115：1—6944：1，激光损伤阈值为 2.7-3.7 GW/cm2，半波电压为 4400-5300V.从实验的结果看出，在生长速度为 0.8-3.1mm/day 范围内，晶体的生长速度对晶体光学均匀性及其他性能没有太大的影响；原料的纯度对晶体光学均匀性和其他性能的影响则比较明显。 利用同步辐射 X 射线白光形貌术研究晶体缺陷，样品厚度为 0.4mm,曝光时间为 5-7s，样品和底片的距离为 90mm,得到的底片上斑点数量合适，并且底片清晰。把底片放在光学显微镜下观察，看到生长条纹、包裹体、裂纹和位错等，分析了内部缺陷产生的原因，从而探讨了不同生长条件及生长阶段对晶体完整性的影响，为进一步完善晶体生长工艺提供了依据。 为了改善晶体的光学均匀性，分别在 80℃和 100℃对晶体进行退火处理，温度的变化是 3℃/h，在最高温度恒温 24h。退火后，晶体的透过率、消光比都得到不同程度的提高，激光损伤阈值无显著变化。文中对于这些现象进行了初步的讨论。 总之，本文对 DKDP 晶体的全方位条件及所生长晶体的光学均匀性进行了较系统的研究，得到了多项有意义的结果，有些问题还有待于深入研究。