本论文针对GaN基发光二极管中P-GaN与透明导电薄膜ITO的接触进行研究，尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将ITO蒸发时氧流量、ITO厚度及退火温度制备的的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管，来增加电流扩展，减小ITO与P-GaN欧姆接触电阻，降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。　　本研究中，所采用的ITO薄膜是利用蒸发系统进行沉积生长。针对所得薄膜进行光学与电性分析，通过L18正交试验优化ITO薄膜的蒸发及退火参数，包括蒸发温度、蒸发速率、氧流量、ITO厚度、退火温度、N2流量和退火时间，得到优化参数为：衬底温度320℃，沉积速率6nm/min，氧流量30sccm，ITO厚度200nm，退火温度400℃，N2流量15L/min，退火时间30min，此条件下制得较好光电特性的ITO透明导电薄膜，ITO方块电阻大约为12Ω/□，透光率达到95％以上。　　本论文将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED，分析其在20mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化，在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20mA下的正向电压3.23V，光输出效率为23.25mW。