本文利用磁控溅射技术制备Al/MoO₃含能多层薄膜（Reactive Multilayer Films,RMFs）,对薄膜进行了系统的表征,并结合实验结果及模型探究薄膜的燃烧性能。研究了基于Al/MoO₃-RMFs的含能半导体桥（Energetic Semiconductor Bridge,ESCB）的电爆特性及点火能力,主要研究内容及结论如下:Al/MoO₃-RMFs平整无裂痕,各层结合紧密,薄膜中Al出现预氧化现象。调制周期减小时,反应的起始温度降低且放热量增加,但小到50nm时放热量减低。由于氧原子的缺失,当MoO₃含量高于化学计量比时RMFs的放热量提高。利用激光点火方式研究不同调制周期及薄膜宽度对薄膜自蔓延燃烧性能的影响,调制周期为50nm¹50nm的RMFs有较好的自蔓延燃烧性能。针对自蔓延燃烧过程,建立了一种基于传热学理论一维燃烧速度模型,计算结果和实验数据符合良好:调制周期为50nm³00nm时,薄膜燃烧速度与调制周期数近似呈线性关系,当调制周期大于300nm,燃速急剧衰减。相比于SCB,由于Al/MoO₃ ESCB中薄膜的作用ESCB的临界激发时间从7.02μs增加到13.37μs,临界激发能量从1.71mJ增加到4.34mJ,Al/MoO₃ ESCB的电爆火焰明显增大,电爆持续时间也从100μs增到600μs。对于ESCB可以通过控制薄膜的调制周期和调制比使其临界激发时间变短、临界激发能量降低。Al/MoO₃ ESCB的点火能力较SCB显著提高,可以成功点燃BPN点火药药柱,ESCB-50nm点火器可以可靠引燃间隙距离是1mm的BPN药柱,采用Neyer-D最优化法测试了当间隙距离是1mm时BPN点火药药柱对ESCB-50nm的点火感度。