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该论文研究内容来自国家自然科学基金项目"纳米级薄膜制备及固体表面原子迁移机理研究",其技术背景是超大规模集成电路和高速光电器件中的电迁移问题.论文工作中设计组建了一套超高真空原位电迁移实验研究系统,以沉积于Si(111)及SiO<,2>表面的厚度≤10nm的Au、Ag单一金属薄膜以及Au-Ag二元复膜为研究对象,综合运动俄歇线扫描和元素面分布分析、原子力显微镜、透射电镜、变角X射线光电子谱及化学成像技术等分析研究了上述体系的电迁移行为.