本论文采用化学浴沉积法,在ZnO纳米粒子膜的表面生长ZnO纳米棒阵列,然后采用水/溶剂热法在ZnO纳米棒阵列上复合三种不同的金属氧化物,得到了Fe2O3/ZnO、In2O3/ZnO和Co3O4/ZnO三种异质分级结构阵列材料。对所制备的异质结构材料进行了形貌和结构分析,并进行气敏性能测试,得到如下结果:1)利用水热法所制备了 Fe2O3/ZnO异质结构阵列,Fe2O3以纳米粒子形式分布在ZnO纳米棒表面,粒子大小约为30 nm,分散均匀。气敏性能测试表明,Fe2O3/ZnO异质结构阵列和ZnO纳米棒阵列相比,对乙醇气体具有较好的选择性,灵敏度提高了近8倍。在370℃的工作温度下对100 μL·L-1乙醇气体灵敏度为85,响应时间3 s,恢复时间48 s,最低检测限可达到0.01 μL·L-1。2)通过溶剂热法所制备了 In2O3/ZnO异质结构阵列,In2O3纳米棒均匀的分布在ZnO纳米棒表面上,In2O3纳米棒长度大约为50 nm。气敏性能测试表明,In2O3/ZnO异质结构阵列与ZnO纳米棒阵列相比,对NOx气体具有较好的选择性。在170℃工作温度下对100 μL·L1NOx气体的响应-恢复时间分别为8s和96s,灵敏度为24,明显优于ZnO纳米棒阵列,最低检测限可达到0.1 μL·L-1。3)采用溶剂热法所得到了 Co3O4/ZnO异质结构阵列,Co3O4以纳米粒子的形式复合在ZnO纳米棒表面上,粒子尺寸约为10 nm,分布比较均匀。气敏性能测试表明,在290℃时In2O3/ZnO异质结构阵列对三乙胺(TEA)气体具有较好的选择性,对100μL·L-1 TEA气体的响应-恢复时间分别为8s和104s,灵敏度达到90,最低检测限可达到0.01 μL·L-1。