随着电子封装技术逐渐向小型化、高可靠度和低成本等方向发展,业界对封装基板提出了更高要求。陶瓷基板因其良好的耐热、导热、绝缘性及高机械强度,被广泛应用于功率器件和高温电子器件封装。传统平面陶瓷基板线路加工尺寸较大,难以满足市场需求,业界提出三维陶瓷基板技术方案。本文在分析总结现有三维陶瓷基板技术基础上,研究无机胶粘接制备三维陶瓷基板。主要研究内容包括:（1）无机胶制备。由于铝硅酸盐无机胶具有低温固化,固化体耐热性好、粘接强度高等特性,本实验采用偏高岭土和碱激发剂配置铝硅酸盐无机胶,并对其性能进行测试分析。测试项包括Zeta电位、热重-差热、XRD与SEM电镜图。根据实验结果可知,铝硅酸盐无机胶具有极好的稳定性、致密性,能在低温下固化,且无机胶能耐至少500℃高温。（2）采用无机胶粘接法制备三维陶瓷基板。首先制备平面陶瓷基板（DPC基板）与陶瓷环,随后在陶瓷环上均匀涂覆无机胶,再将DPC基板与陶瓷环对准后贴合,在一定温度下固化而成。为了防止陶瓷环内壁在涂覆无机胶时被污染,采用硅胶模具进行保护,确保无机胶涂覆后陶瓷环内壁光洁。所制备的三维陶瓷基板对准精度<3μm。（3）三维陶瓷基板制备工艺优化。研究了无机胶粘接层厚度、固化温度以及粘接面积（陶瓷环孔径）对三维陶瓷基板性能的影响。实验表明,当粘接层厚度从200μm增加到500μm时,围坝层剪切强度先上升后下降,在厚度为350μm时达到最大值（18.77MPa）;当无机胶固化温度从50℃提高到250℃时,剪切强度先快速升高,到150°C后缓慢升高;当陶瓷环内径从3.2mm增加到4.0mm时,剪切强度从5.14MPa提高到11.45MPa,泄漏率从5.60×10^-10Pa·m³/s增加到2.47×10^-8Pa·m³/s。（4）三维陶瓷基板性能测试。实验分析了三维陶瓷基板耐高温、热循环、高温高湿等性能。可靠性测试前分别选取八个样品,测试泄漏率值和剪切强度值作为实验对照组。结果表明,样品仍然保持较高气密性,且其剪切强度还有提高的趋势,这可能是因为在高温下进一步固化所致。因此,本文制备的无机胶粘接三维陶瓷基板具有良好的可靠性,在电子封装领域应用前景广阔。