【摘 要】
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该文主要研究了单壁碳纳米管(SWNT)的场发射特性.为了对单壁碳纳米管(SWNT)进行场发射实验,需要清洁的钨针尖作为基底,为此,首先研究了钨的场发射;对钨针尖在逐步加热去气过
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该文主要研究了单壁碳纳米管(SWNT)的场发射特性.为了对单壁碳纳米管(SWNT)进行场发射实验,需要清洁的钨针尖作为基底,为此,首先研究了钨的场发射;对钨针尖在逐步加热去气过程中的电流电压以及相对逸出功的变化做了测量;最终得到钨清洁状态的场发射,测量了清洁钨I-V特性及FowlerNordheim曲线.在对钨针尖加热处理过程中,获得了清洁 碳化钨(WC)场发射图像,测量了电流电压特性,估算了碳化钨逸出功.在处理获得清洁钨针尖场发射图像的基底上,蘸单壁纳米碳管(SWNT),研究了吸附状态下单壁纳米碳管(SWNT)场发射图像;然后逐渐加热去气,使碳管表面吸附分子逐渐脱附,研究了这一去气过程中,碳管场发射变化;最后采用两种办法估算了单壁碳纳米管(SWNT)的逸出功.
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