该课题在深入地掌握硅-玻璃静电键合的基本原理,分析影响硅-玻璃静电键合的众多因素和目前国内外广泛应用的实验条件的基础上,完成了硅-玻璃静电键合技术的建模、参数提取和验证.最终为设计关于静电键合工艺的MEMS CAD软件提供了实用的数学模型.静电键合技术模型的建立是分两种键合方法来考虑的.一种是平板电极静电键合;另一种是单点电极静电键合.针对这两种键合方法的键合原理,建立对应的电学模型;进而给出了数学模型.根据两种静电键合方法的特点,分别地建立了电压、温度与时间的关系和键合电流与时间的关系.其中,对单点电极静电键合的机理进行了深入的分析,从而通过多种数学方法,给出了扩展时间与扩展半径的函数关系.在设计和搭建所需的静电键合实验系统的基础上,做了大量实验.利用实验数据对所得的理论公式进行了验证.关于理论公式与实验数据的偏差,该文进行了多方面的讨论;在明确其原因的基础上,对理论公式进行了合理的修正.最终,根据实验数据,利用统计的方法确定了模型公式中的待定参数,给出了具体的模型公式.通过理论公式与实验数据的对比分析可知:平面电极键合时间公式与实验数据的平均偏差为28.7﹪;在扩展半径较小时,点电极键合扩展时间的公式与实验数据的偏差为7.2﹪,但扩展半径较大时,偏差明显变大,其原因在于随机因素和临界键合电压的影响.这些结论说明该文所建立的理论模型合理性.