硫化镉纳米线阵列的制主表征

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该论文在制备硫化镉薄膜的基础上,并在多孔阳级氧化铝为模板,进行了硫化镉纳米线的制作及表征工作.并在多孔硅中进行了硫化镉纳米粒子的组装.主要结果如下:一、以导电玻璃为基底,分别在水溶液、二甲亚砜、和硫代乙酰胺体系中用电化学方法制备了硫代镉薄膜,并对其进行了XRD和光吸收的表征,讨论了制备条件对其结构和光吸收性质的影响 .二、以银作为导电基底的多孔阳极氧化铝为模板,首次分别在水溶液、二甲亚砜和硫代乙酰胺体系中,用直流电沉积的方法制得了直径均匀、长度可调的硫化镉纳米线阵列.制得的纳米线直径为15nm至100nm,长度从1μm至30μm.通过扫描电镜、透射电镜、高分辨透射电镜、X射线衍射、拉曼光谱等对所制得的纳米线的形貌、晶体结构等性质进行了表征.在二 甲亚砜和硫代乙酰胺体系中得到了具有单晶结构的硫化镉纳米线.三、在含硫化镉和单质硫的二甲亚砜溶液中,用阴极沉积的方法,在N型多孔硅中进行了硫化镉纳米颗粒的组装.用X射线衍射和X射线电子能谱分析对其进行了表征.X射线能谱分析的结果表明,硫化镉颗粒基本贯穿多孔硅的多孔层.
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