在6H-SiC衬底上生长Si薄膜,希望以此作为光吸收层,实现SiC功率器件的非紫外光触发。Si/SiC异质结的光电特性与Si薄膜的生长质量关系密切,提高Si薄膜的生长质量成为实现终极目标的关键。本文使用低压化学气相淀积系统,在6H-SiC衬底上生长对可见光和近红外光有较强吸收的Si薄膜,利用拉曼光谱技术对在不同工艺条件下制各的 Si薄膜结晶质量进行表征分析。主要研究内容和结果如下:　　1、对6H-SiC衬底上生长温度不同的Si薄膜的结晶质量进行了拉曼光谱表征。研究发现,随着薄膜生长温度的升高,拉曼峰逐渐向520cm-1频移,且半峰宽逐渐减小,晶化率提高,薄膜品质逐渐改善。　　2、在衬底的C面生长时,随着掺杂浓度的提高,薄膜的拉曼峰逐渐向520cm_l频移,且半峰宽先减小后增大,说明适度的掺杂有利于结晶质量的提高。其中B/Si原子比为3.Oxl0-3时,薄膜质量较好。　　3、生长时间从30s增至60s时,薄膜的拉曼散射峰不断向高频方向频移,但都小于520 cm.l,说明薄膜中存在一定量张应力,但张应力随时间逐渐减小,晶粒尺寸增大。　　4、对6H-SiC衬底上生长的Si薄膜进行了常规退火处理,发现在温度高于生长温度的退火条件下,样品的拉曼峰向晶体硅的拉曼特征峰520cm.l移动,且半峰宽减小,晶化率提高,表明在高温退火过程中,Si薄膜中发生了再结晶,使样品薄膜的结构得到一定程度的改善。