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摘要：金属／半导体复合材料的光电催化因其独特的性能得到了人们的广泛关注,尤其是在制氢和太阳能能量转换等方面。将不同的金属纳米粒子和氧化物通过掺杂和植入的方法添加到半导体的晶格内部,或者通过包裹和电镀的方法固定在半导体表面,能有效地促进电子-空穴对的分离及提高光电催化性能。石墨型氮化碳(g-C3N4),这种新型的半导体光催化剂,因其稳定性高、无毒、易于大规模制备而引起了研究者极大的兴趣。然而,由于该材料的电导电阻大,基于C3N4材料在光电催化方面的应用展开较少。金纳米颗粒负载的半导体(如二氧化