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钙钛矿发光二极管（Perovskite Light-emitting Diodes,,Pe LEDs）具有发光波长在可见光范围内可调,直接带隙材料,半峰宽小于20 nm,溶液处理,价格便宜等突出优点,近年来受到科研界和产业界的极大关注。而无机钙钛矿CsPbX3（X=Cl,Br,I）由于其稳定性优于有机无机混合钙钛矿CH3NH3PbX3（X=Cl,Br,I）受到人们青睐。但是现阶段钙钛矿LED的效率仍然不高,器件的外量子效率最高为21.3%,低于有机发光二极管（Organic Light-emitting Diodes,OLEDs）。除了钙钛矿本身的表面形貌、不稳定易分解等因素制约,器件的光出射效率低也是主要制约因素。针对以上现况,本论文对钙钛矿LED器件进行研究,从成膜方法、材料体系、界面调控和器件的整体结构等多角度入手,探讨不同层对器件的影响情况,包括钙钛矿薄膜、电子传输层（Electron Transport Layer,ETL）、空穴传输层（Hole Transport Layer,HTL）和电极修饰层。分析器件各层与钙钛矿LED器件性能之间的关系。通过对钙钛矿发光层的优化,制备出粗糙度为4.99 nm,覆盖率在95%以上的钙钛矿薄膜,利用此薄膜制备的器件最高亮度为2220.95cd/m2,外量子效率为0.67%,相比于无掺杂的钙钛矿LED器件亮度和外量子效率分别提高了3倍和4.5倍。此外,还研究了不同器件不同层对器件效率的影响,我们发现当器件缺少HTL时,器件漏电流非常大,在4.5 V时会出现击穿现象;当器件缺少ETL时,收到的影响会比缺少HTL器件小;当缺少电极修饰层时,器件的开启电压将大大提高,达到了5.2 V,远大于完整器件的开启电压3.2 V。针对器件光出射率低的问题,本文进一步的通过时域有限差分法（Finite Difference Time Domain,FDTD）设计了一种光子晶体,优化其周期、占空比、高度等结构参数实现了能够大幅提高光从钙钛矿层出射到自由空间的效率,仿真出的最高的光子晶体结构可以将光出射率从20%增大到40%,提高了一倍。在实验制备阶段,利用半导体加工工艺中的电子束曝光和剥离工艺,在ITO基底上制备了一层光子晶体,制备出的光子晶体结构完整、轮廓清晰、尺寸准确,在此基础上继续制备钙钛矿LED,发现亮度提升300 cd/m2,且电流值更小。