日盲紫外光是一种波长介于200 nm和280 nm之间的电磁辐射,日盲紫外探测器不需使用冷却装置,环境适应性较好,在导弹预警、紫外成像、紫外保密通信等领域应用广泛。虽然日盲紫外探测器具有一系列的优势,但是目前的日盲紫外探测器也面临的一些较为普遍的问题:如宽禁带半导体与金属接触性能较差;常见的金属电极使得光信号的有效接收率下降,容易导致器件性能参数较低;基于半导体微纳结构的材料制备条件不好精确控制,制备的器件容易受环境因素影响,使得探测器件稳定性以及重复性较差。为了改善器件面临的以上问题,我们通过在高质量的n型β-Ga₂O₃单晶片未抛光面蒸镀一层Cr/Au电极,另一面转移石墨烯,在这项研究中,制备的MLG-Ga₂O₃结型器件具有较好的整流特性,并且对254 nm日盲紫外光具有很高的响应,器件的光电测试结果表明该器件具有很好的稳定性和重复性。计算出器件的响应度和探测率分别高达39.3 A/W和5.92×10¹³ Jones,器件性能参数远远优于大多数基于Ga₂O₃纳米结构的器件。此外,进一步的光谱响应分析表明,该器件对波长小于254nm的紫外光高度敏感,但对波长大于280 nm的光信号几乎没有明显的响应,这种光谱选择性与器件的工作机理高度吻合。一系列结果表明,基于该结构的MLG-Ga₂O₃结型器件将在未来的光电系统中具有很好的应用前景。