硫化铜微米花状结构材料的合成及其光催化性能的研究

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低维纳米/微米结构的硫化铜(CuS)材料由于具有特殊的光学、电学、磁学和热学性能,而在光催化、锂电池、传感器、环保、发光二极管和生物医学等诸多领域中有着巨大的潜在应用前景,因此而受到人们的广泛关注。硫化铜材料的性能不仅与它的组成元素铜和硫的化学计量比有关,而且还受到尺寸和形貌的影响,因此实现对硫化铜材料的尺寸和形貌的可控合成,并探究其与性能之间的关系具有重要研究意义。本文以氯化铜(CuCl2)和硫脲为原料,采用溶剂热法在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)极性非质子型溶剂体系中成功制备出了直径为3-5μm的硫化铜微米花状结构。利用了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)、以及紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)等手段和方法对其进行了表征,分析了硫化铜花状结构的生长机理。又以阳离子染料罗丹明B作为目标分解物评价了合成材料的光催化活性,同时与合成的球状结构硫化铜做了光催化性能的比较。结果表明:花状结构的硫化铜材料由100-200nm厚的纳米薄片自组装生长而成;反应时间和反应溶剂体系对产物结果的形貌有较大影响;紫外可见吸收光谱表明硫化铜花状微米结构在608nm处有强而宽的吸收峰和在320nm处有弱吸收峰,而光致发光谱表明了在560nm左右处有发射光带。硫化铜的光催化实验表明,花状结构的硫化铜能够8分钟催化分解罗丹明B染料,催化效率比球状结构高出了256.7%。
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