ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物宽禁带半导体。由于其具有丰富的形貌和优良的光电磁等性能,已成为了最具潜在应用价值的半导体材料。适当的磁场诱导可以改善晶体的生长过程,缩减结晶的时间,从而提高产物的质量和制备效率。本论文正是在这样的背景下,利用磁场诱导水浴法制备出了形貌规整的ZnO纳米线阵列并对其光学性能进行了研究。首先,设计单因素实验,研究了磁场诱导对ZnO纳米线阵列生长的影响。实验结果表明,磁场基本不影响ZnO纳米线阵列的晶体结构,但会对其直径、均匀性、锌氧原子比以及发光性能产生较为明显的影响。结合实验结果和相关资料,初步分析了磁场的影响机理。然后,设计正交实验,对制备工艺进行了优化。实验结果表明,磁场对ZnO纳米线阵列的取向性影响较大；溶液浓度会对ZnO纳米线阵列的直径产生较大影响；反应温度则会显著影响ZnO纳米线阵列的长度和长径比。结合实验结果,分析并解释了ZnO纳米线阵列的生长机理。测试样品的光致发光特性,讨论并分析了其发光机理。最后,对ZnO纳米线阵列进行了Nd掺杂,研究了掺杂对其形貌和发光性能的影响。Nd元素的掺入没有改变ZnO纳米线阵列的结构和形貌,也没有改变其择优生长的特性。但在很大程度上改善了ZnO纳米线阵列的紫外发光性能。