随着信息和通讯技术的高速发展,整机和系统的小型化、轻量化和多功能化程度进一步提高,这同时对材料、设计和集成技术都提出了更高的要求。面对这一新的挑战,复合材料在功能集成上的优势越来越明显。铁电/铁磁复合材料因兼有电容和电感两种特性,既能为电子器件中电容、电感部分的集成提供更多选择,又可以为新型结构、功能器件的设计拓宽思路。与此同时,低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优异的电子、热机械和互联等特性逐渐成为目前无源集成的主流方式。铁电/铁磁复合材料与LTCC技术结合不仅有助于解决目前LTCC材料种类单一,性能没有实现系列化的问题,还能用单一材料同时实现电容和电感部分的功能,从而避免电容层和电感层材料共烧时可能出现的不匹配。本论文的工作围绕BaTiO₃（BTO）/NiCuZn Ferrite（NCZF）和Bi₄Ti₃O₁₂（BIT）/ NiCuZn Ferrite（NCZF）两个铁电/铁磁复合材料体系的低温烧结和性能研究展开。首先用固相反应法,以Bi₂O₃助熔,实现了低铁电相含量BTO/NCZF复相陶瓷在950oС以下的致密化。在与两相比例相同的CaTiO₃/NCZF复相陶瓷进行性能对比的基础上,通过理论修正建立了可以预测低温烧结复相陶瓷磁性能和介电性能的计算模型,同时研究了烧结温度和介电相含量对复合体系磁化机制的影响。其次,分别采用软化学方法、多元低熔点氧化物掺杂以及低熔点玻璃相物质助熔的方法成功制备了900oС烧结的BTO/NCZF复合材料。研究发现溶胶-凝胶法合成的BaTiO₃粉体可以有效降低复合体系的介电损耗,但对提高体系介电常数作用不大。而且,纳米BaTiO₃粉体相比颗粒尺寸大的同类粉体能更有效地减小复合体系的间隙参数,从获得更高的磁导率。三元氧化物Bi₂O₃-Li2CO3-V2O5掺杂研究发现,铁电相与铁磁相质量比为1:5时体系有较好的介电性能（在1MHz¹GHz内ε′=28³1,在1¹27MHz内tanδ<0.02）,此时的μ′=12¹4,截止频率488MHz。按照上述的两相比例,进一步研究了B2O3-Bi₂O₃-SiO2-ZnO（BBSZ）玻璃添加量对体系磁性能和介电性能的影响,确定了可用于LTCC低通滤波器制作的材料性能参数（μ′=13,截止频率585MHz,ε′=26）。制作的低通滤波器3dB截止频率66.3MHz,145MHz时带外抑制20dB,符合设计指标。此外,还借助前面提出的计算模型对各种方法制备的BTO/NCZF复合体系的性能随组分变化规律进行了研究。最后,采用低熔点Bi₄Ti₃O₁₂铁电陶瓷替换BaTiO₃,研究了BIT掺杂NCZF的低温烧结性能,发现适量BIT能有效促进铁氧体晶粒生长,提高磁导率,并能在一定程度改善体系的介电性能。在此基础上初步研究了BIT含量对低温烧结BIT/NCZF复相陶瓷性能的影响。