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随着数据传输速率和工作带宽的提升,芯片的封装设计面临着日益严峻的电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)挑战。电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)作为电磁兼容领域的核心议题,一直是学术界和工业界的研究热点。因此,本文围绕公司商用的芯片封装集成技术,探究了其在高速信号传输下的EMI风险,并进行相应的解决方案研究。本文首先基于引线键合式方形扁平封装(Wire-Bonded Quad Flat Package,WB-QFP)和引线键合式球栅阵列封装(Wire-Bonded Ball Grid Array,WB-BGA),探究了它们在高速信号传输下的EMI风险。文中以美国联邦通讯委员会(Federal Communications Commission,FCC)对无意辐射的电场限值作为主要依据,结合S参数、表面电流分布、电场分布等依据,详细阐述和分析了潜在的风险项。其中,键合线、基板表层介质厚度和基板介电常数是WB-QFP封装在25 GHz内最主要的EMI风险项。封装盖和键合线是WB-BGA封装在25 GHz内最主要的EMI风险项。此外,我们构建了键合线的等效电路,结合全波和电路仿真准确预测了谐振频率。接着,针对WB-BGA封装面临的EMI风险,本文提出了几种切实可行的解决方案,包括基于电磁带隙(ElectromagneticBandgap,EBG)结构的新型封装盖、阻性过孔、阻性封装盖和键合线返回路径。这些技术方案均可以有效抑制宽带高频辐射,尤其是阻性封装盖在3～25 GHz内实现了超过10 dBμV/m的抑制效果。最后,本文结合传统的EMI屏蔽结构和石墨烯独特的电学性能,设计了两款基于石墨烯周期性图案的宽带EMI屏蔽结构,在39.2～200 GHz内实现了 95%的吸收率。文中详细分析了屏蔽结构的参数特性和工作机制。