由于半导体器件大部分属于微功耗、微型结构器件,其在外界电应力的作用下可靠性下降,甚至完全失效。电磁脉冲(EMP)是产生外界过电应力的主要原因之一,其对器件的破坏性很大。随着集成度的提高和几何尺寸的缩小,半导体器件越来越容易受到EMP的影响而损伤,因此有必要从理论上研究EMP对半导体器件的破坏机理。本文利用器件仿真软件Medici,分析了硅基双极器件在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理。研究表明,双极晶体管的损伤部位在不同的电磁脉冲强度作用下有所不同:在低幅度注入电压下,发射区中心下面的n-n+处首先发生烧毁;在高幅度注入电压下,靠近发射区的基极电极边缘首先发生烧毁。同时,结合曲线拟合软件,分析了器件损伤能量、损伤功率、烧毁时间和注入电压之间的关系,获得了双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤能量并非恒值的重要结论。本文的研究工作为半导体器件电磁脉冲损伤评估和防护加固的分析提供了一定的理论基础,也为下一步深入展开EMP效应的实验研究奠定了基础。