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随着磁电子学的发展,磁存储和磁记录材料的巨大应用前景吸引了愈来愈多的科学家对阵列薄膜的兴趣。磁性薄膜和小型化阵列为MRAM等磁电子学器件基础,其性能,如磁滞回线及参数:饱和磁化强度,磁各向异性,矫顽力(开关场)等对单元尺寸,形状和单元间距离有依赖性,成为近年来科学家重点、热点的研究课题。本论文以磁光Kerr回线、铁磁共振为主要手段、对10nm厚、300nm宽度、矩形比分别为1、2、4的矩形单元阵列薄膜进行了系统的实验和理论研究,并与厚度为20nm、宽度为900nm,矩形比分别为1、2和5的稍大单元矩