随着日益增长的无线通信需求,应用于无线通信系统的芯片要求越来越高。硅基工艺具有低功耗、高集成度、低成本等优点,被广泛应用于射频微波集成电路的设计。本文对应用于相控阵系统的四通道接收幅相控制芯片,主要针对低噪声放大器和移相器进行了研究。主要研究内容包括以下:1.基于130nm CMOS工艺的射频低噪声放大器研究。设计了一款工作在8～12GHz的低噪声放大器,采用源极串联电感及阻性负反馈结构提升放大器的带宽与稳定性,采用变压器实现匹配。该放大器实现了最大增益达到27d B,噪声系数最小值为3d B,芯片尺寸为0.348)8)~2。分析了中和电容结构与级间串联电感的共源共栅结构,并设计了12～14GHz带串联电感的中和电容结构和传统共源共栅结构两种结构的低噪声放大器,经过后仿得知中和电容及串联电感的引入提高了2d B的增益,同时降低了噪声系数。2.基于130nm CMOS工艺的矢量求和型移相器研究。设计了一款工作于8～12GHz基于数控可调电流源的六位有源移相器设计。采用130nm CMOS工艺,设计了正交信号发生器和信号合成器,通过产生并矢量合成四路正交信号实现360°的移相范围。设计了数控可调电流源来调整I/Q两支路信号的幅度进而通过矢量合成调整输出信号相位。六位移相误差RMS小于2°,不同移相态增益波动小于0.5d B。3.结合团队设计的发射链路,实现了X波段单通道收发幅相控制芯片设计。单通道芯片面积为4.28)8)~2,实现了以0.5d B为步进15.5d B最大衰减量,以5.625°为步进的360°相移。在3V工作电压下,直流电流为58m A。同时对四通道功合网络进行了研究与设计,实现了四通道收发芯片的设计。四通道芯片面积为16.48)8)~2,四通道间增益误差RMS为0.15d B,移相误差RMS为0.32°具有良好的幅相一致性。