【摘 要】
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ZnO是一种宽带隙的半导体材料,禁带宽度为3.37eV。透明导电ZnO薄膜是一种n型半导体,这是因为在薄膜的制备过程中,Zn和O的结合并不符合化学计量比,而是形成的一种缺氧的状态。ZnO可以在很宽范围内调节和控制,不同条件下生成的薄膜具有不同的功能。在ZnO薄膜中掺入铝、铟、氟等杂质,能有效地提高薄膜的电导率,改善其性能。掺杂ZnO薄膜有很好的导电性和透光性,其中AZO薄膜已成为制备光电器件理想材
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ZnO是一种宽带隙的半导体材料,禁带宽度为3.37eV。透明导电ZnO薄膜是一种n型半导体,这是因为在薄膜的制备过程中,Zn和O的结合并不符合化学计量比,而是形成的一种缺氧的状态。ZnO可以在很宽范围内调节和控制,不同条件下生成的薄膜具有不同的功能。在ZnO薄膜中掺入铝、铟、氟等杂质,能有效地提高薄膜的电导率,改善其性能。掺杂ZnO薄膜有很好的导电性和透光性,其中AZO薄膜已成为制备光电器件理想材料,是近年来研究热点之一。本文以乙酸锌为前躯体,AlCl3、InCl3为掺杂剂,在玻璃基板上采用
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龙首矿是金川公司开发最早的地下矿山,分为东、中、西三个采区,其中东、中采区的矿石品位较高,西采区则以贫矿为主。龙首矿采矿方法采用下向六角形进路式胶结充填采矿法。进路式采矿法是以巷道掘进的方式来回采矿体,因而掘进爆破效率的高低直接影响到生产能力的大小。多年来,龙首矿一直采用低进尺、多循环的爆破模式,爆破效率一般低于80%,富矿中进路平均单炮崩矿量为45-70吨,贫矿进路单炮崩矿量为60-80吨。本论
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