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本文主要研究用固相反应法制备Li、Sb、Ta离子共掺杂(K，Na)NbO3陶瓷，并在其基础上进行SrTiO3和CuO的掺杂改性处理，寻找出适合的组元成分，然后采用流延成型技术制备出无铅压电叠层驱动器。首先，采用固相反应法制备成六组元成分，并探索Ta含量和烧结温度的变化对(K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.93-xTaxSb0.07)O3陶瓷的相转变、微观结构和电性能的影响。实验结果表明：Ta含量的改变不仅引起了陶瓷相结构和微观晶粒形貌的变化，同时还对陶瓷的电性能起到巨大的影响作用。而烧结温度的影响主要体现在陶瓷的致密度方面，随着烧结温度的升高，密度先增加后减小。且当x=0.0475，烧结温度为1130C，极化温度为70C，陶瓷能够获得最佳的电性能。其次，为了能够使陶瓷的电性能在实际应用中保持较好的温度稳定性，本课题在成分为(K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.8825Sb0.07Ta0.0475)O3基础上，进行了SrTiO3的掺杂改性研究。实验结果表明：随着SrTiO3含量的提高，陶瓷的电性能呈现出下降趋势，但同时引起了陶瓷的相转变温度TO-T降低，这在一定程度上提高了陶瓷性能的温度稳定性。当掺杂SrTiO3含量为0.5mol%时，陶瓷在获得较高的压电性能(d33=300pC/N)的同时其相转变温度TO-T仅为26C。由于六组元成分的陶瓷的烧结温度较高，为了研究低温烧结技术，在(K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.8825Sb0.07Ta0.0475)O3-0.005SrTiO3成分的基础上，加入CuO烧结助剂。实验结果发现CuO的加入不仅在一定程度上降低烧结温度，还可以大大提高陶瓷的机械品质因数Qm。但却影响了陶瓷的优异压电性能，同时还消除了SrTiO3引起的降低相转变温度TO-T的效果。最后，综合上述陶瓷电性能以及烧结特性等因素考虑，决定采用(K0.4425Na0.52Li0.0375)(Nb0.8825Sb0.07Ta0.0475)O3成分进行叠层薄膜成型制备。同时将叠层膜制备成块体形状，进行性能测试发现：叠层样品的电性能较普通陶瓷样品略低一些，同时100m的叠层性能要高于300m的叠层性能。由于陶瓷成分的烧结较高，因此采用铂作为驱动器的内部电极，并使用共烧的方式制备成型叠层驱动器。在电压为100V的情况下，当频率分别为5Hz，10Hz，20Hz时，层数为3层的叠层器件，其位移分别为91nm、93nm、106nm。层数为5层的器件，其位移大小分别为131nm、139nm、146nm。