基于微纳光学结构的硅薄膜太阳能电池陷光研究

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薄膜太阳能电池在降低光伏组件成本、简化生产工艺方面极具潜力。同时,薄膜化的响应层可有效提高电池开路电压和填充因子,改善器件电学性能。制约薄膜电池大规模应用的主要问题是响应层光子吸收不足,由此导致的光电流较小以及光电转化效率较低。经优化设计的光学结构可以在微纳尺度实现光子调控,延长光子在电池中的光学路径和停留时间,从而提高电池转化效率。本文以硅基薄膜太阳能电池为研究对象,研究了不同微纳光学结构对薄膜电池光电性能的提升作用。首先,采用严格耦合波分析(RCWA)和时域有限差分方法(FDTD)光学仿真,研究了亚波长纳米仿生结构和金属银纳米粒子(AgNPs)两种结构与入射光波的相互作用机理,并对相应电池结构做了优化设计。研究结果如下:基于纳米仿生学的蛾眼结构能有效突破硅与空气之间的光学差异,引导光子从外界进入硅响应层,从而提高电池光子吸收及转化效率。入射光束在蛾眼结构中的传播与蛾眼结构的截面形状因子K、柱高H以及周期P有关。模拟结果表明:最优的蛾眼结构(K=0.3,P=600 nm,H=700 nm)可以使厚度为2μm的c-Si薄膜电池光电转换效率达到14.6%,同等厚度下平面无结构电池及平面抗反射电池效率分别为8.1%和11.3%。吸收层厚度增加到5μm时,蛾眼结构电池效率达到17.5%,接近随机散射极限效率。此外,与平面电池相比,蛾眼结构具有更好的角度响应特性;通过表面等离子共振效应,AgNPs能显著提高非晶硅(a-Si:H)薄膜电池光谱响应。介质环境和粒子特征尺寸是影响等离子共振的关键因素。仿真结果表明:随介质折射率增大,AgNPs共振频率出现明显红移现象。在空气中,共振峰值对应波长约为360 nm,而在玻璃、ITO和a-Si三种介质中,共振峰分别红移至400、540和730 nm附近;粒子特征尺寸的增大会导致共振从偶极子模式向高次模转变,相应光谱中出现两个及以上共振峰。本文考虑了AgNPs置于a-Si和ITO两种介质环境时a-Si:H电池的光电响应特性:在a-Si介质中,AgNPs最优参数为粒子间距P=200 nm、垂直位置H=135 nm、直径D=70 nm。在ITO介质中,最优参数为间距P=150 nm、直径D=20 nm。与平面抗反射结构相比,优化后两种情况下a-Si:H电池光生电流分别提高了28.9%和17.6%。其次,针对a-Si:H和a-Si:H/μc-Si:H电池界面光学损失较大问题,构建了随机绒面界面模型,通过光学仿真研究了中间光学层对电池界面光学特性的调控作用。TCO/a-Si和a-Si/μc-Si是硅薄膜电池中的两个重要界面,前者影响电池总的光谱响应,后者决定光电流在子电池之间的分配。FDTD仿真结果表明:TiO2光学插入层可有效增强TCO/a-Si界面的光子透射率,提高电池总的光吸收;而SiOx中间反射层可以调节600-900 nm波段光强在a-Si/μc-Si界面的分配,从而调整上下子电池之间的光电流,减小电流不匹配损失。优化的界面结构(TCO/TiO2/a-Si,TiO2=40 nm;a-Si/SiOx/μc-Si,SiOx=50 nm;火山坑织构)使a-Si:H和a-Si:H/μc-Si:H两种电池的光电流分别提高6.0%和7.9%,同时a-Si:H/μc-Si:H电池中的子电流达到平衡;最后,通过光刻图形转移及化学湿法刻蚀,在玻璃衬底上制备出具有高陷光特性的半球凹坑阵列(HPAs)。微米尺度的HPAs结构能使反射光经二次折射重新进入电池器件,降低表面反射损失;同时使特定角度的出射光发生全反射,减少表面逃逸损失。结构与光子的相互作用不依赖入射光子波长和入射角度,可实现宽波段、广角度光谱响应。光电测试结果表明,以特征尺寸为10μm的HPAs玻璃为衬底,a-Si:H和a-Si:H/μc-Si:H两种电池的表面光学损失分别从18%和10%降低到2.5%和1.5%左右,相应量子效率明显改善。伏安特性曲线进一步证实,与平面衬底相比,两种电池的转化效率分别提高了4.7%和5.5%。此外,HPAs结构可通过纳米压印技术在其它衬底上精确复制,并显示出良好的疏水性能,这些特点使其极具工业应用前景。
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